Investigación de mercados transparencia anuncia el lanzamiento de un nuevo estudio de investigación titulado “IGBT y salida MOSFET supermercado – análisis Global de la industria, tamaño, proporción, crecimiento, tendencias y prediccion 2013 – 2019”. Basado en los resultados del informe, el global aislado transistor bipolar de puerta (IGBT) y cruce super campo de semiconductor de óxido metálico efecto transistor (MOSFET) mercado se proyecta para levantarse de un valor de US$ 4.776,2 Mn en 2012 a US$ 10.100 Mn en 2019, crece a un fuerte CAGR del 11.60% de 2013 a 2019.
La investigación se resalta algunas de las más importantes fuerzas de conducción e inhibiendo el crecimiento del cruce super mercado MOSFET y IGBT global. Según el estudio, implementación en vehículos eléctricos y vehículos eléctricos híbridos de levantamiento y aumento de foco en una mayor eficiencia energética son los principales factores impulsando el IGBT y cruce super mercado MOSFET. Un mercado en crecimiento para redes inteligentes tiene inmensas oportunidades, como lo afirma el informe. En cambio, dura competencia de otros semiconductores de potencia es probable contener el IGBT y el cruce super mercado MOSFET.
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Sobre la base de conexiones aplicación, IGBT y super mercado MOSFET está segmentada en fuente de alimentación ininterrumpida (UPS), unidades de motor, tracción rail, convertidores, adaptadores y cargadores, aplicaciones industriales, aplicaciones de consumidor, residenciales, fotovoltaica Inversor (PV), turbinas de viento, iluminación, vehículos eléctricos de los vehículos eléctricos/híbridos (HEV/EV) y otros como servidores y dispositivos de telecomunicaciones y redes.
En la sección IGBT, el segmento de aplicación industrial realizará la mayor parte del mercado en 2012, con unidades de motor después de juego. Registrando un notable CAGR del 21.10% de 2013 a 2019, el área de aplicación de VE/VH es probable que el segmento de más rápido desarrollo a finales del período de pronóstico.
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En la sección MOSFET de cruce super, convertidores, cargadores y adaptadores que se llevó a cabo la mayor parte del mercado en 2012, con los otros del segmento que viene en próximos. Similar al IGBT, el segmento de VE/VH se proyecta para desarrollar el ritmo más rápido de 30.0% CAGR en 2019.
Geográficamente, el IGBT global y cruce super mercado MOSFET se divide en América del norte, Europa, Asia Pacífico y resto del mundo. En términos de ingresos, Asia Pacífico domina el mercado mundial y una cuota de 39.0% en 2013. Esta región también se anticipa que el mercado de más rápido desarrollo para IGBT y super salida MOSFET, seguido por Europa, debido al crecimiento de inversiones en tren de alta velocidad, pujante sector de las energías renovables y el aumento de la demanda de vehículos eléctricos. Una electrónica en auge industria en países como Corea del sur, China y Taiwán también pretende impulsar la Asia Pacífico IGBT y la ensambladura del super mercado MOSFET.
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Los jugadores más destacados en el IGBT global y cruce super mercado MOSFET son Infineon Technologies AG, Fairchild Semiconductor Internacional Inc., Inc. de Semikron, STMicroelectronics N.V., Hitachi Power Semiconductor dispositivo Ltd., Vishay Intertechnology Inc., Toshiba Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Ltd. de Fuji Electric Co. y ABB Ltd.
IGBT y cruce Super MOSFET el mercado, por tipo de producto:
IGBT, Super salida MOSFET
IGBT y Super salida MOSFET mercado, aplicando:
Residencial, ininterrumpido de alimentación (SAI), turbinas de viento, inversor fotovoltaico (PV), Tracción Rail, aplicaciones de consumo, vehículos eléctricos los vehículos eléctricos/híbridos (HEV/EV), impulsiones del Motor, aplicaciones industriales, convertidores, adaptadores y cargadores, iluminación, otros (servidores, dispositivos de telecomunicación y redes, etcetera.)
IGBT y cruce Super MOSFET el mercado, por geografía:
América del norte, Europa, Asia Pacífico, resto del mundo (fila)
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