Mercado de Tecnología GaN-on-Silicon Estimado para florecer para 2027 – Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, Qorvo, STMicroelectronics, Texas Instruments Incorporated y Transphorm

Se prevé que la tecnología GaN-on-silicon reemplace el silicio debido a su mayor resistencia a la descomposición, conductividad térmica y velocidad de conmutación más rápida. Es probable que la tecnología supere a los chips de potencia convencionales basados en silicona para convertirse en semiconductores de potencia de próxima generación. Se espera que las perspectivas positivas de la industria de la electrónica de consumo fortalezcan el panorama del mercado en los próximos años.

Se prevé que el mercado de la tecnología GaN-on-silicon crecerá en el período de previsión debido a factores impulsores como una menor resistencia, una mayor conductividad térmica, una mayor velocidad de conmutación y una mayor resistencia a la descomposición. Además, es probable que el aumento de la aplicabilidad en LOS LED y los amplificadores de radiofrecuencia prorpuesque el crecimiento del mercado. Sin embargo, los altos costos de material y fabricación pueden obstaculizar el crecimiento del mercado de la tecnología GaN-sobre silicio durante el período de previsión. Por otro lado, es probable que el advenimiento del 5G muestre una oportunidad de crecimiento sustancial para los actores clave que operan en el mercado de la tecnología GaN-on-silicon.

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Principales jugadores clave dominantes:

1.Infineon Technologies AG
2.NXP Semiconductores
3.OSRAM Opto Semiconductors GmbH
4.Panasonic Corporation
5.Plessey Semiconductors Limited
6.Qorvo, Inc
7.STMicroelectronics
8.Texas Instruments Incorporated
9.Transphorm Inc.
10.Wolfspeed (Cree Inc.)

El mercado global de la tecnología GaN-on-silicon se segmenta sobre la base del tamaño de la oblea y la vertical de la industria. Basado en el tamaño de la oblea, el mercado se segmenta como 50 mm, 100 mm, 150 mm y 200 mm. Sobre la base de la industria vertical, el mercado se segmenta como automotriz, aeroespacial y de defensa, electrónica de consumo, TI y telecomunicaciones y otros.

El informe ofrece una visión general detallada de la industria, incluida la información cualitativa y cuantitativa. Proporciona una visión general y una previsión del mercado global de la tecnología GaN-on-silicon basado en varios segmentos. También proporciona estimaciones de tamaño de mercado y previsiones del año 2017 a 2027 con respecto a cinco regiones principales, a saber; América del Norte, Europa, Asia-Pacífico (APAC), Oriente Medio y Africa (MEA) y América del Sur y Central. El mercado de la tecnología GaN-on-silicon por cada región es sub-segmentado posteriormente por los respectivos países y segmentos. El informe abarca el análisis y la previsión de 18 países a nivel mundial junto con la tendencia actual y las oportunidades que prevalecen en la región.

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El informe analiza los factores que afectan al mercado de la tecnología GaN-on-silicon tanto de la demanda como de la oferta y evalúa aún más la dinámica del mercado que afectan al mercado durante el período de previsión, es decir, los impulsores, las restricciones, las oportunidades y la tendencia futura. El informe también proporciona un análisis exhaustivo de PEST para las cinco regiones, a saber; América del Norte, Europa, APAC, MEA y América del Sur y Central después de evaluar factores políticos, económicos, sociales y tecnológicos que afectan el mercado de la tecnología GaN-on-silicon en estas regiones.

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