Tamaño, cuota y análisis de tendencias del mercado de dispositivos semiconductores GaN hasta 2031

InsightAce Analytic Pvt. Ltd. anuncia la publicación de un informe de evaluación del mercado sobre el "Mercado mundial de dispositivos semiconductores de GaN"(por tipo (optosemiconductores, semiconductores de RF, semiconductores de potencia), por dispositivo (semiconductores discretos, semiconductores integrados), por aplicación (láseres de iluminación, accionamientos de potencia (LiDAR, accionamientos industriales, accionamientos de E. V., etc.). V. drives), Suministros & Inversores (SMPS, Inversores, Carga inalámbrica, Carga E.V.), Radiofrecuencia (R.F.),

Front-End Module (FEM), Repeater/Booster/DAS, Radar & Satellite)), Por Verticales (Consumo & Empresas, Industrial, Automoción, Telecomunicaciones, Aeroespacial & Defensa, Sanidad, Energía & Power), Por Rango de Tensión (Menos de 100 V, 100-500 V, Más de 500 V)), Tendencias, Análisis de la Competencia en la Industria, Ingresos y Previsión Hasta 2031."

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Un dispositivo semiconductor de GaN (nitruro de galio) es un componente electrónico que lo utiliza como material semiconductor para su construcción. El GaN es un material semiconductor avanzado con varias ventajas sobre materiales tradicionales como el silicio.

El reciente aumento de la demanda de dispositivos semiconductores energéticamente eficientes también ha contribuido a su creciente popularidad. Las ventajas de los dispositivos semiconductores de GaN frente a los de silicio han contribuido al crecimiento del mercado. Los materiales de silicio se utilizan para fabricar aparatos electrónicos como teléfonos inteligentes, ordenadores, cámaras y televisores.

Por otro lado, los dispositivos semiconductores GaN, que son 100 veces más rápidos que los de silicio, tienen una oportunidad debido a la ralentización del potencial creativo del silicio. Los dispositivos GaN superan a los de silicio en varios aspectos, como mayor velocidad, menores costes y mejor eficiencia energética.

La creciente necesidad de videoconsolas, teléfonos móviles, ordenadores portátiles y televisores impulsará probablemente el mercado de dispositivos semiconductores GaN en la industria de la electrónica de consumo. La demanda de semiconductores de potencia GaN en el mercado de las TIC ha aumentado debido a la introducción del estándar 5G, que ha incrementado la necesidad de estaciones base y transistores de alta potencia.

Lista de actores destacados en el mercado de dispositivos semiconductores GaN:

• Wolfspeed, Inc. (EE.UU.)
• Qorvo, Inc. (EE. UU.)
• MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. (EE.UU.)
• Infineon Technologies AG (Alemania)
• Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japón) (Japón)
• Mitsubishi Electric Group (Japón)
• NexGen Power Systems. (EE.UU.)
• GaN Systems (Canadá)
• Efficient Power Conversion Corporation (US.)
• Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (EE.UU.)
• ROHM Co. (Japón)
• STMicroelectronics NV (Suiza)
• NXP Semiconductors NV (Países Bajos)
• Transphorm, Inc,
• Analog Devices, Inc,
• Texas Instruments Incorporated,
• Navitas Semiconductor,
• Microchip Technology Incorporated,
• Powdec,
• Northrop Grumman Corporation,
• Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.,
• Toshiba Infrastructure Systems & Solutions Corporation,
• Renesas Electronics Corporation,
• Gallium Semiconductor,
• GaNpower

Dinámica del mercado:

Impulsores-

Es probable que el aumento de la demanda de productos electrónicos de consumo, como ordenadores portátiles, teléfonos inteligentes, adaptadores de corriente, cargadores de alta velocidad, iluminación LED, dispositivos domésticos inteligentes y dispositivos de juego, tenga un impacto significativo en el crecimiento del mercado. El uso de dispositivos semiconductores GaN en la electrónica de consumo aumenta la densidad de potencia y la eficiencia.

Mejora la velocidad de carga, alarga la vida útil y consume menos electricidad. Los dispositivos semiconductores GaN, como las estaciones base y otros equipos de red, también se emplean en aplicaciones empresariales. Su capacidad para manejar altas potencias y frecuencias mejora las comunicaciones inalámbricas. Como resultado, se espera que la creciente demanda en la industria de la electrónica de consumo y de las empresas impulse la expansión del mercado.

Desafíos:

El elevado coste de los dispositivos semiconductores GaN dificulta su implantación generalizada. Varios factores contribuyen a su elevado precio. Para empezar, la creación de sustratos de GaN, la base sobre la que se crean los dispositivos, requiere métodos sofisticados que exigen equipos y conocimientos especializados.

En comparación con otros materiales semiconductores más desarrollados, como el silicio, esta complejidad eleva drásticamente los costes de fabricación. Además, la escasez de sustratos de GaN de alta calidad contribuye a su elevado precio, lo que restringe las economías de escala en la producción.

Tendencias regionales:

Se espera que el mercado norteamericano de dispositivos semiconductores de GaN registre una importante cuota de mercado en términos de ingresos y se prevé que crezca a un elevado CAGR en un futuro próximo. Los principales actores en Estados Unidos, como Cree, Inc, Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop

Grumman Corporation, Qorvo, Inc. y otros, han contribuido a esta expansión. La supremacía de esta región se debe también al aumento de la compra de dispositivos de nitruro de galio y otras tecnologías afines en Estados Unidos y Canadá. Texas Instruments Incorporated y Qorvo, Inc. están solicitando financiación para producir dispositivos basados en GaN en Estados Unidos.

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Acontecimientos recientes:

• En junio de 2023, NexGen acaba de declarar el inicio de la producción de los primeros semiconductores GaN verticales de 700V y 1200V del mundo, que exhiben las frecuencias de conmutación más elevadas. Los e-jFET verticales de GaN de 1200 V desarrollados por NexGen son los únicos dispositivos de banda ancha que presentan frecuencias de conmutación superiores a 1 MHz a una tensión nominal de 1,4 kV.

• En diciembre de 2021, Microchip Technology, Inc. anunció una ampliación sustancial de su cartera de dispositivos de potencia de radiofrecuencia (RF) de nitruro de galio (GaN) con la incorporación de nuevos MMIC y transistores discretos que cubren frecuencias de hasta 20 gigahercios (GHz). Estos dispositivos, que combinan una alta eficiencia de potencia añadida (PAE) y una elevada linealidad, permiten alcanzar nuevos niveles de rendimiento en aplicaciones que abarcan desde la 5G hasta la guerra electrónica, las comunicaciones por satélite, los sistemas de radar comerciales y de defensa y los equipos de prueba.

Segmentación del mercado de dispositivos semiconductores GaN-

Por tipo

• Optosemiconductores
• Semiconductores de RF
• Semiconductores de potencia

Por dispositivo

• Semiconductores discretos
• Semiconductores integrados

Por aplicación

• Rayos láser &
• Accionamientos
  • LiDAR
  • Accionamientos industriales
  • Accionamientos E.V.
• Suministros & Inversores
  • SMPS
  • Inversores
  • Carga inalámbrica
  • Carga eléctrica
• Radiofrecuencia (R.F.)
  • Módulo frontal (FEM)
  • Repetidor/Booster/DAS
  • Radar & Satélite

Por Vertical-

• Consumo & Empresas comerciales
• Industrial
• Automoción
• Telecomunicaciones
• Aeroespacial & Defensa
• Sanidad
• Energía & Energía

Por rango de tensión

• Menos de 100 V
• 100-500 V
• Más de 500 V

Por región

Norteamérica

• Estados Unidos
• Canadá
• México

Europa-

• Alemania
• Reino Unido
• Francia
• Italia
• España
• Resto de Europa

Asia-Pacífico-

• China
• Japón
• India
• Corea del Sur
• Sudeste Asiático
• Resto de Asia-Pacífico

América Latina

• Brasil
• Argentina
• Resto de América Latina

Oriente Medio & África-

• Países del CCG
• África del Sur
• Resto de Oriente Medio y África

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Sobre nosotros:

InsightAce Analytic es una empresa de consultoría e investigación de mercados que permite a sus clientes tomar decisiones estratégicas. Nuestras soluciones cualitativas y cuantitativas de inteligencia de mercado informan de la necesidad de inteligencia de mercado y competitiva para ampliar los negocios. Ayudamos a los clientes a obtener una ventaja competitiva identificando mercados sin explotar, explorando tecnologías nuevas y competidoras, segmentando mercados potenciales y reposicionando productos. Nuestra experiencia consiste en proporcionar informes de inteligencia de mercado sindicados y personalizados con un análisis en profundidad con perspectivas clave del mercado de forma oportuna y rentable.